SSH ISO 5618-1:2023

Qeramika teknike (qeramika e avancuar, qeramika teknike e avancuar) - Metoda e provës për defektet e sipërfaqes së kristalit GaN - Pjesa 1: Klasifikimi i defekteve

Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) - Test method for GaN crystal surface defects - Part 1: Classification of defects

Scope

Ky dokument jep një klasifikim të dislokimeve dhe defekteve të shkaktuara nga procesi, midis defekteve të ndryshme sipërfaqësore, që ndodhin në nënshtresat e nitridit të galiumit me një kristal (GaN) ose në filmat GaN me një kristal.
Është i zbatueshëm për dislokimet dhe defektet e shkaktuara nga procesi të ekspozuara në sipërfaqen e llojeve të mëposhtme të substrateve ose filmave GaN:
— substrati GaN me një kristal;
— Filmi GaN me një kristal i formuar nga rritja homoepitaksiale në një substrat GaN me një kristal;
— Filmi GaN me një kristal i formuar nga rritja heteroepitaksiale në një substrat oksid alumini me një kristal (Al2O3), karabit silikoni (SiC) ose silikon (Si).
Nuk zbatohet për defektet e ekspozuara në sipërfaqe nëse vlera absolute e këndit akut ndërmjet sipërfaqes normale dhe boshtit c të GaN është ≥ 8°.